#行业资讯 SK 海力士重申没有存储器就没有 AI 产业，接下来公司将继续研发高性能内存。SK 海力士已经从 6 月开始向主要客户提供 HBM4E 内存样品，该内存为 12 层 48GB，能效较 HBM4 提高 20%。不过 4E 产品还在评估阶段，尚未量产。查看全文：https://ourl.co/127085
韩国存储器制造商 SK 海力士日前在产业活动中再次重申没有存储器就没有 AI 产业，随着 AI 产业持续发展，相关存储器需求也将继续保持强劲。SK 海力士将依托新存储技术、全球生产基地和研发设施继续巩固技术优势。
HBM 高带宽内存仍然是人工智能加速器的重要配套，SK 海力士已经从 2026 年 6 月开始向主要客户提供 12 层 48GB 的 HBM4E 内存样品，单引脚速率最高 16Gbps。SK 海力士称这款产品能效较 HBM4 提高 20%，只不过当前 HBM4E 产品仍然处于样品阶段，SK 海力士将继续与客户合作推进量产，暂时没有具体的量产时间。
该公司也在探索 HBF 高带宽闪存技术，此前 SK 海力士已经与闪迪共同发布首个 HBF 标准规范。HBF 使用 NAND 闪存，其产品性质介于高带宽内存与固态硬盘之间，目标是增加容量的同时提供更高的带宽。不过这类高带宽闪存产品目前还在技术研发阶段，这种产品最终能否研发成功以及客户是否接受还需要观察。
SK 海力士首席执行官郭鲁正 (Kwak Noh-Jung) 提到公司正在全球多地建设生产和研发设施，在 8 月份该公司在韩国龙仁建设 Y2 DRAM 厂、在清州建设 M17 NAND 厂，总投资规模达到 54 万亿韩元。
SK 海力士还在美国印第安纳州建设基地，这个基地主要负责 HBM 先进内存的封装与测试，目前计划是在 2029 年下半年开始量产，这个工厂不会在美国境内制造 DRAM 晶圆。
