存储芯片巨头SK海力士正在考虑将HBM4E的基底芯片（Base Die）交由英特尔代工厂代工 —— 但该合作仅处于评估阶段，尚未敲定最终协议。当前，SK海力士的HBM4基底芯片全部由台积电以12nm级工艺生产。 如果SK海力士真的敲定这一协议，尽管对台积电造成的短期营收冲击甚微，但却具备极强的战略信号意义：这标志着存储巨头正在主动打破单一先进逻辑代工厂依赖，寻找备选供应链方案。对于SK海力士来说，最直接的原因就在于 “成本”二字。业内人士透露，在现已量产的HBM4中，台积电采用12纳米级工艺生产的基础芯片，成本比SK海力士自身以1b工艺制造的核心芯片高出3至4倍。

—— 财联社