#行业资讯 英特尔称其 14A 制程 (1.4 纳米) 成本将高于即将推出的 18A 制程，但功耗降低最多 35%、性能最高提升 20%。英特尔 14A 制程将使用阿斯麦的高数值孔径 EUV 光刻机，同时英特尔也将采用背面供电技术优化芯片的功耗和性能。查看全文：https://ourl.co/110583

英特尔目前正在推进 14A 制程 (即 1.4 纳米级) 是该公司首个专门为英特尔及代工客户从头设计的制造工艺，该制程的成本要高于英特尔即将推出的 18A 制程，原因在于晶圆使用的光刻机更加先进。

该公司首席财务官大卫・津斯纳在花旗银行举办的 2025 年全球 TMT 大会上表示：

英特尔 14A 制程要比 18A 制程更贵，就投资而言 14A 制程的成本确实没有高很多，但晶圆成本肯定更高，部分原因就是我们预计 14A 制程会使用高数值孔径 EUV 光刻机，而 18A 制程并没有使用这种光刻机。

具体来说在英特尔 14A 制程中英特尔将使用由阿斯麦 (ASML) 提供的 Twinscan EXE:5200B 高数值孔径光刻机，这种光刻机配备 0.55 数值孔径的光学元件。

不过整体制造成本的提高当然也可以反映到性能和能耗方面，英特尔预计 14A 制程的每瓦性能提升 15%~20%，而功耗则可以降低 25%~35%，也就是性能更好的同时还能提供更长的续航时间。

这项新制造技术采用升级版的环栅极晶体管架构 RibbonFET 2 以及背面供电网络 PowerDirect，背面供电网络可以将电源线直接连接到晶体管的源极和漏极而不需要增加太长的引线 ( 有关背面供电技术可以点击这里查看详细介绍 )。

英特尔 14A 制程还有个关键创建名为 Turbo Cells，该技术通过在密集标准单元库中使用高驱动、双倍高度单元来优化关键时序路径，在不需要大幅度牺牲面积或功耗的情况下可以有效提升 CPU 和 GPU 频率。

阿斯麦的 Twinscan EXE 高数值孔径 EUV 系统单次曝光即可实现 8 纳米分辨率，相比目前低数值孔径 EUV 系统的 13.5 纳米分辨率有着显著提升，尽管低数值孔径 EUV 系统也能通过双重曝光达到 8 纳米分辨率，不过这会增加工艺的复杂性并影响良品率。

当然英特尔也希望能够提升自己的 CPU 技术和为代工客户提供先进制程，即便 Twinscan EXE:5200B (或后续机型) 的单台价格高达 3.8 亿美元，此前阿斯麦的低数值孔径 EUV 光刻机售价为 2.35 亿美元，所以英特尔也是下了血本。

值得注意的是大卫・津斯纳也再次复述英特尔首席执行官陈立武 (Lip-Bu Tan) 的说法，即如果英特尔 14A 制程代工无法获得外部客户的订单，那就很难证明 14A 制程的合理性。

陈立武此前曾表示如果英特尔 14A 制程找不到重要的外部代工客户，那英特尔就会选择放缓技术开发速度甚至是彻底放弃该制程，毕竟继续研发和提升技术的成本实在是太高。